삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4를 세계 최초로 양산 출하하며 시장 선점에 나섰다. 최근 SK하이닉스와 마이크론이 HBM4 공급을 공식화한 가운데, 삼성도 본격적인 물량 경쟁에 돌입한 셈이다.
삼성전자는 6세대 HBM4를 양산 출하했다고 12일 밝혔다. 이번 제품은 10나노급 6세대(1c) D램과 4나노 공정 기반 베이스 다이를 적용해 재설계 없이 초기 양산 단계부터 안정적인 수율과 성능을 확보했다는 설명이다.
HBM4의 데이터 처리 속도는 11.7Gbps로, 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 크게 웃돈다. 최대 13Gbps까지 구현이 가능하며, 단일 스택 기준 대역폭은 최대 3.3TB/s에 달한다. 이는 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 수준이다.
용량 역시 12단 적층 기준 36기가바이트(GB), 향후 16단 적층 적용 시 최대 48GB까지 확장 가능하다. AI 모델이 고도화될수록 심화되는 데이터 병목 현상을 완화하는 데 초점이 맞춰졌다.
전력 효율과 발열도 개선됐다. 데이터 입출력 핀을 2,048개로 확대하면서도 저전력 설계와 전력 분배 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 끌어올렸고, 열저항 특성은 10% 개선했다. 데이터센터 운영 비용 절감 효과도 기대된다는 게 회사 측 설명이다.
삼성전자는 로직·메모리·파운드리·패키징을 아우르는 ‘원스톱’ 제조 역량을 기반으로 공급 안정성을 강조했다. 회사는 2026년 HBM 매출이 올해 대비 3배 이상 증가할 것으로 전망하고 있으며, 생산 능력 확대에 나서고 있다.
황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 “1c D램과 4나노 공정을 적용해 성능 확장을 위한 여력을 확보했다”며 “고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 밝혔다.
삼성전자는 2026년 하반기 HBM4E 샘플을, 2027년에는 고객 맞춤형(Custom) HBM 샘플 출하를 계획하고 있다. AI 가속기 아키텍처에 맞춘 맞춤형 메모리 공급 전략으로 고부가 시장을 공략하겠다는 구상이다.
