삼성전자가 인공지능(AI) 반도체 1위 기업 엔비디아의 연례 개발자 행사에서 차세대 AI 메모리의 청사진을 공개하며 양사의 협력 관계를 재확인했다.
삼성전자는 16일부터 19일(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 ‘GTC 2026’에 참가해 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’ 실물 칩을 세계 최초로 공개했다고 17일 밝혔다.
초미세 공정 얹은 'HBM4E'… 발열 잡는 차세대 조립 기술도 베일 벗어
이번에 공개한 HBM4E는 10나노급 6세대(1c) D램 공정과 4나노미터(㎚) 파운드리(위탁생산) 기술을 기반으로 개발된 차세대 AI 메모리다. 핀당 16기가비트퍼세컨드(Gbps) 속도와 최대 4테라바이트(TB)/초 대역폭을 지원해 대규모 데이터를 처리해야 하는 AI 연산 환경에 최적화됐다.
삼성전자는 이번 전시에서 AI 칩의 가장 큰 골칫거리인 '발열' 문제를 줄이기 위한 차세대 패키징 기술 ‘하이브리드 카퍼 본딩(HCB)’ 기술도 함께 공개했다. 기존 열 압착 접합(TCB) 방식 대비 열 저항을 20% 이상 낮추고 16단 이상 적층이 가능해 고성능 HBM 구현에 유리한 기술이다.
엔비디아 차세대 '베라 루빈' 맞춤형 원스톱 솔루션 제시
행사장에서는 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 ‘베라 루빈’을 겨냥한 맞춤형 메모리 솔루션도 공개됐다.
삼성전자는 이번 행사장에 전용 갤러리를 마련하고, 전 세계 기업 중 유일하게 베라 루빈 AI 서버 구축에 필요한 핵심 메모리와 스토리지를 한 번에 공급할 수 있는 ‘턴키 솔루션’ 역량을 부각했다.
구체적으로는 그래픽처리장치(GPU)용 HBM4, 중앙처리장치(CPU)를 돕는 서버용 메모리 모듈(SOCAMM2), 그리고 대용량 데이터 저장을 위한 초고속 솔리드스테이트드라이브(SSD)가 나란히 전시됐다. AI 서버를 구축하려는 고객사 입장에서는 삼성전자를 통해 필요한 모든 메모리를 최적화된 상태로 한 번에 해결할 수 있는 셈이다.
업계에서는 삼성전자가 엔비디아 차세대 AI 인프라에 필요한 메모리 생태계를 전반적으로 지원하며 양사의 협력 관계를 한층 강화하고 있다는 평가가 나온다.
한편, 행사 둘째 날인 17일(현지시간)에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아의 특별 초청을 받아 무대에 오른다. 송 센터장은 향후 글로벌 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아의 차세대 시스템과 이를 뒷받침할 삼성전자의 기술 비전을 직접 소개할 예정이다.
