삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4의 고객사 평가(퀄리피케이션)를 마무리 단계까지 끌어올리며 다음 달부터 본격적인 양산 출하에 들어간다.
삼성전자는 29일 2025년 4분기 실적발표 기업설명회에서 “HBM4는 주요 고객사의 요구 성능이 높아졌음에도 재설계 없이 지난해 샘플을 공급한 이후 고객 평가가 순조롭게 진행되고 있으며, 현재 퀄 완료 단계에 진입했다”고 밝혔다.
이어 “2월부터 최상위 속도인 11.7Gbps 제품을 포함해 HBM4 물량을 양산 출하할 예정”이라고 설명했다.
HBM은 AI 서버용 그래픽처리장치(GPU)에 필수적으로 탑재되는 고성능 메모리로, 데이터 처리 속도를 높이기 위해 여러 개의 메모리 칩을 수직으로 쌓은 제품이다. HBM4는 현재 주력 제품인 HBM3E의 뒤를 잇는 6세대 제품으로, AI 반도체 성능을 좌우하는 핵심 부품으로 꼽힌다.
삼성전자는 HBM4 이후 세대 제품 준비도 병행하고 있다. 차세대 제품인 HBM4E는 올해 중반 표준 제품을 중심으로 고객사에 샘플을 제공할 계획이다. HBM4E 코어다이를 기반으로 한 맞춤형 제품은 하반기 고객 일정에 맞춰 웨이퍼 초도 투입을 진행한다는 방침이다.
차세대 적층 기술로 주목받는 하이브리드 구리 본딩 기술과 관련해서도 “지난해 4분기 HBM4 기반 샘플을 주요 고객사에 전달하며 기술 협의를 시작했다”며 “HBM4E에서 일부 사업화를 계획하고 있다”고 밝혔다.
다만 업계 일각에서 거론되는 16단 적층 제품의 조기 상용화에는 신중한 입장을 보였다.
삼성전자는 “HBM3E나 HBM4의 16단 제품은 현재 고객 수요가 매우 제한적이고, 동일 용량의 HBM4E 12단 제품 샘플링 일정이 예정돼 있어 당장 양산 사업화 필요성은 크지 않다고 판단하고 있다”고 설명했다. 다만 고객 요구 변화에 대비해 16단 패키지 양산 기술은 이미 확보해 둔 상태라고 덧붙였다.
