성균관대 김윤석 교수(신소재공학부)가 올해 첫 번째 과학기술인 영예를 안았다. 

과학기술정보통신부과 한국연구재단은 4일 ‘이달의 과학기술인상’ 1월 수상자로 김 교수를 선정했다. 

과기정통부는 우수한 연구개발 성과로 과학기술 발전에 공헌한 연구개발자를 매월 1명씩 선정해 상장과 상금(1000만원)을 수여하고 있다. 

김 교수는 하프늄옥사이드(HfO2) 강유전성(외부 전기장 등에 의해 물체 일부가 양극이나 음극을 띠게 된 후 그 극성을 유지하는 성질) 발현 원인을 밝혔다. 

또 이온빔을 이용해 HfO2 강유전성을 높이는 기술을 개발해 반도체 소자 기술 경쟁력을 높였다. 

HfO2는 나노미터(10억분의 1m) 만큼 얇은 막에서도 우수한 강유전성을 띤다. 그래서 메모리⋅트랜지스터 등 기존 산화물을 대체할 차세대 반도체 소재로 꼽힌다.

 
송금종 기자 song@kukinews.com