SK하이닉스가 역대 가장 빠른 모바일용 D램 반도체를 완성했다.

SK하이닉스는 현존 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’를 개발했다고 25일 밝혔다. LPDDR5T는 자사 제품인 LPDDR5X 성능을 업그레이드한 제품이다. 동작속도가 초당 9.6기가비트로 LPDDR5X 대비 13% 빠르다.

규격명 LPDDR5 뒤에 ‘T’는 ‘터보(Turbo)’를 의미한다. LPDDR5T는 국제반도체표준화기구 최저 전압 기준인 1.01~1.12V에서 작동한다.

SK하이닉스는 최근 LPDDR5T 단품칩을 결합한 16GB 용량 패키지 샘플을 고객에게 제공했다. 패키지 데이터 처리 속도는 초당 77GB다. 이는 풀HD급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다. 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올 하반기부터 이 제품 양산에 들어갈 계획이다.
 
이번 제품에도 SK하이닉스는 HKMG(High-K Metal Gate) 공정을 적용했다. HKMG는 유전율이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다.

이 공정을 이용하면 속도를 높이면서 소모 전력을 줄일 수 있다. 당사는 지난해 11월 HKMG 공정을 모바일 D램에 세계 최초로 도입했다. 

송금종 기자 song@kukinews.com