지난해 피해만 5조원…삼성 기술로 ‘中 D램’ 만든 전직 임직원 구속
삼성전자의 첨단 반도체 기술을 중국 기업에 넘기고 현지 D램 생산을 주도한 전직 임직원 3명이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다. 이들이 개발을 도운 제품은 중국 최초 18나노급 D램으로, 삼성전자에 최소 수조원대 피해를 입힌 것으로 검찰은 보고 있다. 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 삼성전자 출신 A씨 등 3명을 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소했다고 1일 밝혔다. A씨는 삼성전자 전 임원으로, 중국 반도체 회사 창신메모리(CXMT)에서 2기 개발실장을 맡아 기술 개발을 총괄했다. 함... [이혜민]




