삼성전자가 초고층 낸드 적층에 또 한 걸음 앞선다. 삼성전자는 세계 최고 용량인 ‘1Tb(테라비트) 8세대 V낸드(수직낸드)’를 양산한다고 7일 밝혔다.
V낸드는 3D 셀 레이어 스택 기술로 각 낸드 칩에서 멀티 플래시 메모리 셀 층을 수직으로 쌓는 기술이다. 1Tb TLC(트리플 레벨 셀) 8세대 V낸드는 단위 면적당 저장 비트가 업계 최고인 고용량제품이다.
웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대 보다 대폭 향상됐다. 기존 7세대 V낸드는 176단이었다. 8세대는 200단 이상이다.
삼성전자 측은 “8세대 V낸드는 200단대 낸드플래시를 본격 양산하는데 의미가 있다”며 “고용량 고성능 제품을 공급하게 되는 것”이라고 말했다.
이어 “우선 기업용 서버 등이 주 시장이 될 것”이라고 덧붙였다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 규격인 ‘토글 DDR 5.0’이 적용됐다. 최대 2.4Gbps(초당 기가바이트 전송) 데이터 입출력 속도를 지원한다.
7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다. 삼성전자
8세대 V낸드는 또 PCIe 4.0 인터페이스를 지원한다. PCIe 4세대는 PCIe 레인당 16GT/s(초당 기가 전송) 또는 약 2GB/s(초당 기가바이트)로 데이터를 전송한다.
8세대 V낸드 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장 고용량화를 주도하면서 자동차 등 전장시장으로 사업 영역을 넓힐 계획이다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “시장 고집적, 고용량 요구로 V낸드 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀 평면적과 높이를 모두 감소시키고 셀 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”며 “8세대 V낸드로 시장 수요를 만족시키고 더 차별화한 제품과 솔루션을 제공할 것”이라고 밝혔다.
