
경계현 삼성 사장 "GAA 기술 조기 개발, 무에서 유 창조한 혁신"
"혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나가겠습니다." 삼성전자가 3나노 최초 양산에 차세대 반도체 제조기술로 꼽히는 게이트 올 어라운드(GAA) 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화한다. 삼성전자는 25일 경기 화성 V1라인(극자외선(EUV)전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 열었다. GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초 부터 시작한 삼성전자는 2017년 3나노 공정에 적용을 시작으로 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표한 바 있다. 삼... [윤은식]